ROHM Group

GaN功率器件

GaN(氮化鎵)是一種化合物半導(dǎo)體材料,作為下一代功率器件用的材料被寄予厚望。與以往的Si器件相比,其開關(guān)性能和高頻性能更加出色,因而在市場上的應(yīng)用日益廣泛。
不僅如此,其導(dǎo)通電阻也低于Si器件,有望助力眾多應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更低功耗和小型化。

ROHM將有助于應(yīng)用產(chǎn)品的節(jié)能和小型化的GaN器件命名為“EcoGaN?系列”,并始終致力于進(jìn)一步提高器件的性能。另外,ROHM不僅致力于元器件的開發(fā),還與業(yè)內(nèi)相關(guān)企業(yè)積極建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系并推動(dòng)聯(lián)合開發(fā),通過助力應(yīng)用產(chǎn)品的效率提升和小型化,持續(xù)為解決社會(huì)問題貢獻(xiàn)力量。
* EcoGaN?是ROHM Co., Ltd.的商標(biāo)或注冊商標(biāo)。

EcoGaN?

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