SiC（碳化硅）功率器件
與傳統(tǒng)的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件由于擁有低導(dǎo)通電阻特性以及出色的高溫、高頻和高壓性能，已經(jīng)成為下一代低損耗半導(dǎo)體可行的候選器件。此外，SiC讓設(shè)計人員能夠減少元件的使用，從而進一步降低了設(shè)計的復(fù)雜程度。
SiC元器件的低導(dǎo)通電阻特性有助于顯著降低設(shè)備的能耗，從而有助于設(shè)計出能夠減少CO2排放量的環(huán)保型產(chǎn)品和系統(tǒng)。
羅姆在SiC功率元器件和模塊的開發(fā)領(lǐng)域處于先進地位，這些器件和模塊在許多行業(yè)的應(yīng)用中都實現(xiàn)了更佳的節(jié)能效果。
EcoSiC?是采用了因性能優(yōu)于硅（Si）而在功率元器件領(lǐng)域備受關(guān)注的碳化硅（SiC）的元器件品牌。從晶圓生產(chǎn)到制造工藝、封裝和品質(zhì)管理方法，ROHM一直在自主開發(fā)SiC產(chǎn)品升級所必需的技術(shù)。另外，ROHM在制造過程中采用的是一貫制生產(chǎn)體系，目前已經(jīng)確立了SiC領(lǐng)域先進企業(yè)的地位。
* EcoSiC?是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。
SiC功率器件 小冊子[新產(chǎn)品] 新型二合一 SiC封裝模塊"TRCDRIVE pack?"
TRCDRIVE pack?是牽引逆變器驅(qū)動用SiC封裝型模塊的專用商標，標有該商標的產(chǎn)品利用ROHM自有的結(jié)構(gòu)，更大程度地擴大了散熱面積，從而實現(xiàn)了緊湊型封裝。另外，新產(chǎn)品還搭載了低導(dǎo)通電阻的第4代SiC MOSFET，實現(xiàn)了是普通SiC封裝型模塊1.5倍的業(yè)界超高功率密度，非常有助于xEV逆變器的小型化。
* TRCDRIVE pack?是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。
第4代SiC MOSFET
新推出的第4代SiC MOSFET，在改善短路耐受時間的前提下實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)超低導(dǎo)通電阻。另外，還具有低開關(guān)損耗和支持15V柵-源電壓等特點，有助于設(shè)備進一步節(jié)能。
SiC技術(shù)應(yīng)用
通過使用羅姆的第4代SiC MOSFET，與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，導(dǎo)通電阻可降低約40%，開關(guān)損耗可降低約50%。有助于提高電動汽車、數(shù)據(jù)中心、基站和智能電網(wǎng)等高電壓和大容量發(fā)展的應(yīng)用的便利性和電力轉(zhuǎn)換效率。本應(yīng)用筆記介紹了產(chǎn)生以上優(yōu)點的機制。
陣容
SiC相關(guān)產(chǎn)品
ROHM致力于開發(fā)非常適合驅(qū)動SiC元器件的柵極驅(qū)動器IC，與SiC元器件結(jié)合使用時，可以更大程度地發(fā)揮出其特性。此外，羅姆還在開發(fā)內(nèi)置SiC產(chǎn)品的IC，例如內(nèi)置SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC。
