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什么叫SiC功率器件？

SiC半導(dǎo)體
SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。其絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)度是Si的10倍，禁帶寬度是Si的3倍，基于這些優(yōu)勢(shì)，SiC作為一種超越Si極限的功率元器件材料被寄予厚望。
SiC SBD
使用SiC可以通過具有高速特點(diǎn)的器件結(jié)構(gòu)——SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)600V以上的高耐壓二極管。因此，用SiC SBD替換FRD（快速恢復(fù)二極管），能夠顯著減少反向恢復(fù)損耗。
SiC-MOSFET
SiC器件的漂移層電阻比Si器件低，因此可以通過具有高速器件結(jié)構(gòu)特點(diǎn)的MOSFET同時(shí)實(shí)現(xiàn)高耐壓和低阻值。
SiC功率模塊
搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的SiC功率模塊可顯著降低由IGBT的尾電流和FRD的反向恢復(fù)電流引起的開關(guān)損耗。