什么是晶體管？
什么是晶體管？
- 晶體管的功能
晶體管具有放大和開關(guān)電信號(hào)的功能。
- 概略
晶體管按結(jié)構(gòu)、容許功率、集成度和形狀的分類進(jìn)行介紹。例如，從工作結(jié)構(gòu)來(lái)看，大致可以分為雙極型和FET兩種類型。
- 晶體管
介紹反向電流、容許損耗和增益帶寬積等概念。增益帶寬積是指晶體管能夠工作的極限頻率。
- 數(shù)字晶體管的原理
數(shù)字晶體管的GI和晶體管的hFE都表示發(fā)射極接地直流電流放大系數(shù)。數(shù)字晶體管是在普通晶體管上連接2個(gè)電阻的一種晶體管。
- MOSFET特性
介紹寄生電容和溫度特性、開關(guān)及其溫度特性以及VGS(th)（閾值）相關(guān)的內(nèi)容。
- 導(dǎo)通電阻
使MOSFET工作時(shí)漏極和源極間的阻值稱為“導(dǎo)通電阻”。導(dǎo)通電阻值越小，工作時(shí)的功率損耗越少。
- 總柵極電荷（Qg）
總柵極電荷（Qg）是指為導(dǎo)通MOSFET而需要注入到柵極電極的電荷量。該值越小，開關(guān)損耗越少，從而可以實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)。
- 安全使用晶體管的選定方法
介紹根據(jù)施加到器件的電壓和電流波形計(jì)算平均功率的方法。
- 元件溫度計(jì)算方法
結(jié)溫可根據(jù)環(huán)境溫度和功耗進(jìn)行計(jì)算。即使施加相同的功率，當(dāng)環(huán)境溫度上升時(shí)，結(jié)溫也會(huì)隨之上升，因此能夠施加的功率會(huì)變小。
- 負(fù)載開關(guān)
負(fù)載開關(guān)導(dǎo)通的瞬間，可能會(huì)暫時(shí)流過(guò)比穩(wěn)態(tài)電流大得多的電流。這種流過(guò)大電流的現(xiàn)象稱作“浪涌電流”。
- 常見(jiàn)問(wèn)題
